Direct Diode Laser M-series 976 нм с водяным охлаждением, QBH-разъем

Для юридических лиц Добавить в заявку

Основные применения: сварка пластмасс, теплопроводная сварка металла, лазерная пайка

Основные технические характеристики

		Direct Diode Laser
Параметр	Единица измерения	M-200\|300\|400A\|500A	M-QCW1000A
Центральная длина волны	нм	976
Смещение центральной длины волны	нм	±20
Максимальная выходная мощность	Вт	200/300/400/500	Пиковая мощность 1000
Диапазон регулировки мощности	%	10-100
Нестабильность выходной мощности, rms	%	1	3
Диаметр сердцевины волокна	мкм	200
Числовая апертура	NA	0,22
Оптический коннектор	-	QBH
Длина волоконного кабеля	м	5
Лазерный целеуказатель
Длина волны	нм	650
Выходная мощность	мВт	0,1-1
Электрические характеристики
Режим работы	-	CW / Модулированный	Модулированный
Частота модуляции	Гц	1-10 000	1-200
Напряжение питания	-	220В (AC) ±10%，50/60 ГЦ
Потребление тока	А	<10
Прочие параметры
Рабочая температура	℃	От +5 до +40
Температура хранения	℃	От -25 до +55
Влажность окружающей среды	%	Макс. 70 (при +25℃)
Система охлаждения	-	Водяное охлаждение
Габаритные размеры	мм	550 х 484 х 133