Тип дачика
Silicone (Si), UV-Silicon (UV-Si), InGaAs (IR), InGaAs Enhanced (IRE)
Спектральный диапазон
Si: 350 - 1100 нм, UV-Si: 190 - 1100 нм, IR: 800-1800 нм, IRE: 1200 - 2700 нм
Number of Blades
3 for BA3 heads, 7 for BA7 heads
Диапазон размера пучка
В зависимости от типа датчика - см. брошюру
Разрешение ширины луча
Для лучей > 100 нм в размере: 1 нм. Для лучей <100 нм в размере: 0.1 нм
Точность ширины луча
±2%
Диапазон мощности
Для Si & UV-Si heads: 10 нВт - 1 Вт с фильтрами). Для InGaAs heads: 10 нВт до 5 мВт (без фильтров)
Мощность точности
Si & UV-Si heads:±5%, InGaAs heads: ±10%
Позиционное разрешение
Для лучей > 100 нм в размере: 1 μm. Для лучей <100 нм в размере: 0.1 нм
Позиционная точность
± 15 нм
Насыщение
(Si & UV-Si heads) 0.1 Вт/см2 без фильтров, 20 Вт/см2 с NG9
Частота измерений
5 Гц
Вес
Сенсорная головка с кабелем - 755 г, коллекторная коробка 350 г
Рабочая температура
0 - 35 C
PC интерфейс
USB 2.0 (PCI опционально)