Энергонезависимая оперативная память

В нашем каталоге представлены следующие виды энергонезависимой оперативной памяти (NVRAM):

• FRAM (Ferroelectric RAM, FeRAM)— сегнетоэлектрическая оперативная память. Это энергонезависимая память, которая сохраняет данные даже при отключении питания чипа. Для хранения информации в ней используется слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического.
• MRAM (magnetoresistive random-access memory) — это магниторезистивная оперативная память. В отличие от других типов запоминающих устройств, информация в MRAM хранится не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитных свойств материалов.
• Phase Change Memory (PRAM) — это тип энергонезависимой памяти на основе фазового перехода. Также известна как память с изменением фазового состояния (PCM), PCRAM и другие. PRAM использует свойства материалов, которые при изменении температуры могут «переключаться» между двумя состояниями: кристаллическим и аморфным. Эти состояния соответствуют двоичным данным: «0» и «1».
• Resistive RAM (RRAM)— это тип энергонезависимой памяти, которая хранит данные путём изменения сопротивления материала. Основная структура RRAM состоит из тонкой плёнки материала, зажатой между двумя электродами.

Сравнение традиционных и новейших видов NVRAM