APD фотодиоды

У APD (Avalanche Photodiode) фотодиодов фотонно-электронное преобразование происходит за счёт явления «лавинного пробоя», которое обусловлено нарастанием напряжённости электрического поля, что приводит к ударной ионизации носителей заряда.  APD фотодиоды обладают гораздо большей чувствительностью по сравнению с PIN фотодиодами, однако высокая чувствительность предполагает и более высокий уровень шумов, а также более высокое энергопотребление.

Для изготовления современных фотодиодов в основном применяются следующие материалы: кремний (Si), арсенид индия-галлия (InGaAs), германий (Ge), каждый из которых эффективно применять в своем спектральном диапазоне:

С точки зрения термостойкости, важна корпусировка фотодиодов, у полимерных корпусов она как правило выше, чем у металлических, но у металлических выше ударопрочность. В целом при выборе фотодиодов, помимо всего вышеизложенного, важно учитывать следующие характеристики:

• Минимальный уровень принимаемого оптического сигнала (динамический диапазон);
• Максимальная мощность принимаемого излучения, превышение этого параметра может привести не только к ошибкам приёма, но и к повреждению самого фотоприёмника;
• Разница уровня между принятым и отражённым сигналом (количество потерь при приёме);
• Наличие усилителя сигнала, что также влияет на чувствительность фотоприёмника.