- Описание
- Спецификации
- Скачать документацию
У APD (Avalanche Photodiode) фотодиодов фотонно-электронное преобразование происходит за счёт явления «лавинного пробоя», которое обусловлено нарастанием напряжённости электрического поля, что приводит к ударной ионизации носителей заряда. APD фотодиоды обладают гораздо большей чувствительностью по сравнению с PIN фотодиодами, однако высокая чувствительность предполагает и более высокий уровень шумов, а также более высокое энергопотребление.
Для изготовления современных фотодиодов в основном применяются следующие материалы: кремний (Si), арсенид индия-галлия (InGaAs), германий (Ge), каждый из которых эффективно применять в своем спектральном диапазоне:
Материал | Спектральный диапазон |
InGaAs | 1300 – 1700 нм |
Ge | 1000 – 1500 нм |
Si | 400 – 1100 нм |
С точки зрения термостойкости, важна корпусировка фотодиодов, у полимерных корпусов она как правило выше, чем у металлических, но у металлических выше ударопрочность. В целом при выборе фотодиодов, помимо всего вышеизложенного, важно учитывать следующие характеристики:
- Минимальный уровень принимаемого оптического сигнала (динамический диапазон);
- Максимальная мощность принимаемого излучения, превышение этого параметра может привести не только к ошибкам приёма, но и к повреждению самого фотоприёмника;
- Разница уровня между принятым и отражённым сигналом (количество потерь при приёме);
- Наличие усилителя сигнала, что также влияет на чувствительность фотоприёмника.