fbpx
Назад

APD фотодиоды

Для юридических лиц Добавить в заявку

У APD (Avalanche Photodiode) фотодиодов фотонно-электронное преобразование происходит за счёт явления «лавинного пробоя», которое обусловлено нарастанием напряжённости электрического поля, что приводит к ударной ионизации носителей заряда.  APD фотодиоды обладают гораздо большей чувствительностью по сравнению с PIN фотодиодами, однако высокая чувствительность предполагает и более высокий уровень шумов, а также более высокое энергопотребление.

Для изготовления современных фотодиодов в основном применяются следующие материалы: кремний (Si), арсенид индия-галлия (InGaAs), германий (Ge), каждый из которых эффективно применять в своем спектральном диапазоне:

Материал Спектральный диапазон
InGaAs 1300 – 1700 нм
Ge 1000 – 1500 нм
Si 400 – 1100 нм

 

С точки зрения термостойкости, важна корпусировка фотодиодов, у полимерных корпусов она как правило выше, чем у металлических, но у металлических выше ударопрочность. В целом при выборе фотодиодов, помимо всего вышеизложенного, важно учитывать следующие характеристики:

  • Минимальный уровень принимаемого оптического сигнала (динамический диапазон);
  • Максимальная мощность принимаемого излучения, превышение этого параметра может привести не только к ошибкам приёма, но и к повреждению самого фотоприёмника;
  • Разница уровня между принятым и отражённым сигналом (количество потерь при приёме);
  • Наличие усилителя сигнала, что также влияет на чувствительность фотоприёмника.

 

Оставить
отзыв

Рейтинг: 5 (13 отзывов)