Назад
Параметры Значение
Тип датчика Silicone (Si), UV-Silicon (UV-Si), InGaAs (IR), InGaAs Enhanced (IRE)
Спектральный диапазон Si: 350 — 1100 нм, UV-Si: 190 — 1100 нм, IR: 800-1800 нм, IRE: 1200 — 2700 нм
Number of Blades 3 for BA3 heads, 7 for BA7 heads
Диапазон размера пучка В зависимости от типа датчика — см. брошюру
Разрешение ширины луча Для лучей > 100 нм в размере: 1 нм. Для лучей <100 нм в размере: 0.1 нм
Точность ширины луча ±2%
Диапазон мощности Для Si & UV-Si heads: 10 нВт — 1 Вт с фильтрами). Для InGaAsheads: 10 нВт до 5 мВт (без фильтров)
Мощность точности Si & UV-Si heads:±5%, InGaAs heads: ±10%
Позиционное разрешение Для лучей > 100 нм в размере: 1 μm. Для лучей <100 нм в размере: 0.1 нм
Позиционная точность ± 15 μm
Насыщение (Si & UV-Si heads) 0.1 Вт/см2 без фильтров, 20 Вт/см2 с NG9
Разрешение 0.1 нм
Частота измерений 5 Гц
Вес Сенсорная головка с кабелем – 755 г, коллекторная коробка 350 г
Рабочая температура 0 — 35 C
PC интерфейс USB 2.0 (PCI опционально)
Дополнительные аксесуары:
SAM3-B Beam Sampler, with mounting adapter- sampling reduction factor 0.0016 average
BA-Fiber A fiber adapter with an FC connector
BA-Mount A mount enabling head rotation about the optical axis

Система высокоточной диагностики луча для непрерывных лазеров. Состоит из прибора Beam Analyzer и нового малогабаритного автономного устройства со встроенным сенсорным экраном.
Запатентованная технология (уникальная топографическая реконструкция 2D/3D изображения), измерения профиля луча, его размера, формы, положения и мощности в широком спектральном диапазоне от 190 нм до 2700 нм, захват лучей размерами от 2 мкм до 10 мм с разрешением 0.1 мкм. Экран LCD — 7 дюймов.

Оставить
отзыв

С этим товаром покупают