Назад
ПараметрыЗначение
Тип датчикаSilicone (Si), UV-Silicon (UV-Si), InGaAs (IR), InGaAs Enhanced (IRE)
Спектральный диапазонSi: 350 - 1100 нм, UV-Si: 190 - 1100 нм, IR: 800-1800 нм, IRE: 1200 - 2700 нм
Number of Blades3 for BA3 heads, 7 for BA7 heads
Диапазон размера пучкаВ зависимости от типа датчика - см. брошюру
Разрешение ширины лучаДля лучей > 100 нм в размере: 1 нм. Для лучей <100 нм в размере: 0.1 нм
Точность ширины луча±2%
Диапазон мощностиДля Si & UV-Si heads: 10 нВт - 1 Вт с фильтрами). Для InGaAsheads: 10 нВт до 5 мВт (без фильтров)
Мощность точностиSi & UV-Si heads:±5%, InGaAs heads: ±10%
Позиционное разрешениеДля лучей > 100 нм в размере: 1 μm. Для лучей <100 нм в размере: 0.1 нм
Позиционная точность± 15 μm
Насыщение(Si & UV-Si heads) 0.1 Вт/см2 без фильтров, 20 Вт/см2 с NG9
Разрешение0.1 нм
Частота измерений5 Гц
ВесСенсорная головка с кабелем – 755 г, коллекторная коробка 350 г
Рабочая температура0 - 35 C
PC интерфейсUSB 2.0 (PCI опционально)
Дополнительные аксесуары:
SAM3-BBeam Sampler, with mounting adapter- sampling reduction factor 0.0016 average
BA-FiberA fiber adapter with an FC connector
BA-MountA mount enabling head rotation about the optical axis

Система высокоточной диагностики луча для непрерывных лазеров. Состоит из прибора Beam Analyzer и нового малогабаритного автономного устройства со встроенным сенсорным экраном.
Запатентованная технология (уникальная топографическая реконструкция 2D/3D изображения), измерения профиля луча, его размера, формы, положения и мощности в широком спектральном диапазоне от 190 нм до 2700 нм, захват лучей размерами от 2 мкм до 10 мм с разрешением 0.1 мкм. Экран LCD - 7 дюймов.

Оставить
отзыв

Рейтинг: 4.3 (13 отзывов)

С этим товаром покупают