Назад
Тип дачика Silicone (Si), UV-Silicon (UV-Si), InGaAs (IR), InGaAs Enhanced (IRE)
Спектральный диапазон Si: 350 - 1100 нм, UV-Si: 190 - 1100 нм, IR: 800-1800 нм, IRE: 1200 - 2700 нм
Number of Blades 3 for BA3 heads, 7 for BA7 heads
Диапазон размера пучка В зависимости от типа датчика - см. брошюру
Разрешение ширины луча Для лучей > 100 нм в размере: 1 нм. Для лучей <100 нм в размере: 0.1 нм
Точность ширины луча ±2%
Диапазон мощности Для Si & UV-Si heads: 10 нВт - 1 Вт с фильтрами). Для InGaAs heads: 10 нВт до 5 мВт (без фильтров)
Мощность точности Si & UV-Si heads:±5%, InGaAs heads: ±10%
Позиционное разрешение Для лучей > 100 нм в размере: 1 μm. Для лучей <100 нм в размере: 0.1 нм
Позиционная точность ± 15 нм
Насыщение (Si & UV-Si heads) 0.1 Вт/см2 без фильтров, 20 Вт/см2 с NG9
Частота измерений 5 Гц
Вес Сенсорная головка с кабелем - 755 г, коллекторная коробка 350 г
Рабочая температура 0 - 35 C
PC интерфейс USB 2.0 (PCI опционально)

Прибор для высокоточной диагностики луча для непрерывных лазеров. Работает в широком спектральном диапазоне от УФ до 2700нм, захват лучей размером от 2 мкм до 10 мм с разрешением 0.1 мкм

Оставить
отзыв

Рейтинг: 4.3 (13 отзывов)

С этим товаром покупают